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我国位移传感器发展重点
时间:2013/6/17 12:31:20  来源:本站原创  点击:696
  我国位移传感器的技术和产品,经过发展,有了较大的提高。全国已经有1600多家企事业单位从事位移传感器研制、开发、生产。但与国外相比,我国位移传感器产品品种和质量水平,尚不能满足国内市场的需求,总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。
  存在的主要问题有:
  (1)科技创新差,核心制造技术严重滞后于国外,拥有自主知识产权的产品少,品种不全,产品技术水平与国外相差15年左右。
  (2)投资强度偏低,科研设备和生产工艺装备落后,成果水平低,产品质量差。
  (3)科技与生产脱节,影响科研成果的转化,综合实力较低,产业发展后劲不足。
  战略目标
  到2013年,位移传感器领域应争取实现三大战略目标:
  ---以工业控制、汽车、通讯、环保为重点服务领域,以位移传感器、弹性元件、光学元件、专用电路为重点对象,发展具有自主知识产权的原创性技术和产品;
  ---以MEMS工艺为基础,以集成化、智能化和网络化技术为依托,加强制造工艺和新型位移传感器和仪表元器件的开发,使主导产品达到和接近国外同类产品的先进水平;
  ---以增加品种、提高质量和经济效益为主要目标,加速产业化,使国产位移传感器的品种占有率达到70%~80%,高档产品达60%以上。
  2013年位移传感器发展重点
  位移传感器技术
  (1)MEMS工艺和新一代固态位移传感器微结构制造工艺:深反应离子刻蚀(DRIE)工艺或IGP工艺;封装工艺:如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺;新型位移传感器:如用微硅电容位移传感器、微硅质量流量位移传感器、航空航天用动态位移传感器、微位移传感器,汽车专用压力、加速度位移传感器,环保用微化学位移传感器等。
  (2)集成工艺和多变量复合位移传感器微结构集成制造工艺;工业控制用多变量复合位移传感器,如:压力、静压、温度三变量位移传感器,气压、风力、温度、湿度四变量位移传感器,微硅复合应变压力位移传感器,陈列位移传感器。
  (3)智能化技术与智能位移传感器信号有线或无线探测、变换处理、逻辑判断、功能计算、双向通讯、自诊断等智能化技术;智能多变量位移传感器,智能电量位移传感器和各种智能位移传感器、变送器。
  (4)网络化技术和网络化位移传感器位移传感器网络化技术;网络化位移传感器,使位移传感器具有工业化标准接口和协议功能。
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